廖辉 |
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| E-mail: lh_tea@shzu.edu.cn |
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| 电话：18935715962 | |||||||||||||||||||||
| 基本信息 | 性别 | 男 | 出生年月 | 1982.08 | 民族 | 汉族 |
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| 北京大学 | 博士学位 | 2016.09-2020.06 | ||||||||||||||||||
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| 物bat365官网登录入口 | 专业：凝聚态物理 | |||||||||||||||||||
| 工作经历 | bat365官网登录入口 | 副教授，硕士生导师 | 2020.09-至今 | ||||||||||||||||||
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| bat365官网登录入口 | 专业方向： 半导体光电子 | |||||||||||||||||||
| 主要业绩 | 研究方向为宽禁带半导体物理及光电子学。包括GaN基半导体材料、LED及LD相关光电器件物理，主要基于密度泛函理论开展GaN基材料及其低维结构中的点缺陷和复合缺陷的发光理论计算及物性研究。近年来发表物理学术期刊SCI论文10余篇，授权专利1件，参编教材3部，主持国家自然科学基金1项、参与国家自然科学基金1项、参与国家重点研发计划重点专项1项目、参与科学挑战专题1项。主持和参与bat365官网登录入口高层次人才项目科研基金3项。 | ||||||||||||||||||||
| 研究方向 | (1) GaN基宽禁带半导体材料与器件 | ||||||||||||||||||||
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| (2) 材料缺陷理论计算 | ||||||||||||||||||||
| 在研项目 | (1)《氮化镓材料中碳相关点缺陷构筑及物性研究》 | ||||||||||||||||||||
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| 地区科学基金项目，2023.01-2026.12，32万。（主持） | ||||||||||||||||||||
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| (2)《低维拓扑材料及其复合体系热输运性质的研究》 地区科学基金项目，2022.01-2025.12，38万。（参与） | ||||||||||||||||||||
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| (3)《氮化镓低维结构中的点缺陷发光研究》 bat365官网登录入口高层次人才科研启动资金专项，2021.01-2023.12，20万。（主持） | ||||||||||||||||||||
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| 发表文章 | ◎ 近5年以第一/通讯作者身份发表的论文 | ||||||||||||||||||||
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| [1] Hui Liao, Junchao Li, Tiantian Wei, Peijun Wen, et al. First-principles study of CN point defects on sidewall surface of [0 00 1]-oriented GaN nanowires. Applied Surface Science, 468, (2019):293-297. | ||||||||||||||||||||
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| [2] Hui Liao, Tiantian Wei, Hua zong, Shengxiang Jiang, et al. Raman investigation on the surface carrier concentration of single GaN microrod grown by MOCVD, Applied Surface Science, 489(2019): 346-350. | ||||||||||||||||||||
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| [3] Hui Liao, Peijun Wen, Guo Yu, et al. Micro-Raman Investigation on the Size Effects of Surface Optical Phonon Modes in Single Cone-Shape InGaN/GaN Microrods, Applied Surface Science, 512(2020): 145656. | ||||||||||||||||||||
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| [4] Tiantian Wei, Hui Liao, Shengxiang Jiang, et al. Stress study of GaN grown on serpentine-channels masked Si(111) substrate by MOCVD. Superlattices and Microstructures 130 (2019) 554–559. | ||||||||||||||||||||
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| [5] Chunyan song, Hui Liao, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Weicheng Cao. The role of point defects related with carbon impurity on the kink of log J-V in GaN-on-Si epitaxial layers, Nanotechnology, 2022. doi.org/10.1088/1361-6528/ac8e0d. | ||||||||||||||||||||
